ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ШОТТКИ С САМОСОВМЕЩЕННЫМ ЗАТВОРОМ НА ОСНОВЕ НИТРИДА И СИЛИЦИДА ВОЛЬФРАМА
FEATURES OF THE FORMATION OF SCHOTTKY FIELD TRANSISTORS WITH A SELF-CONDENSED GATE ON THE BASIS OF NITRIDE AND TUNGSTEN SILICIDE
2018 International Journal Internauka Cilt 2018/2, Sayı 2
Öz
In this paper, the peculiarities of the technological processes of the formation of Schottky field transistors by arsenidgale technology are considered. Namely the technology of formation of Schottky field transistors with a self-locking gate on the basis of nitride and tungsten silicide.
Key words: , , ,
İngilizce öz
В данной статье рассмотрены особенности технологических процессов формирования полевых транзисторов Шоттки арсенид галлиевой технологию. А именно технологию формирования полевых транзисторов Шоттки с самосумищоным затвором на основе нитрида и силицида вольфрама.
Ключевые слова: арсенид галлия, полевые транзисторы Шоттки, нитрид вольфрама, силицид вольфрама